应用领域：

本装置是磁控溅射镀膜系统，该系统兼容直流和射频溅射源，可溅射金属、非金属及化合物薄膜 ( 如：ITO) 等；广泛应用于科研院所、实验室制备单层或多层薄膜，以及新材料、新工艺研究。 本装置系统结构紧凑，系统采用模块化设计可扩展性高，在保证系统稳定性的前提下，进一步优化您的实验室利用空间；适合摆放于工作台面上。

基本配置：

◆真空腔室：Φ250 mm(ID) x 250 mm(H) 

◆真空系统：机械泵 + 分子泵两级真空系统 前级泵：VRD-16 机械泵，抽速：4L/S ；主抽泵：分子泵，抽气速率：300L/S 主抽阀：CC-100 超高真空手动插板阀， 可调节分子泵抽速，有利于稳定工艺气压。 

◆极限真空：<5×10-5Pa 

◆恢复真空：<6.7×10-4Pa(< 45 min) 

◆真空测量：“两低一高” 数显复合真空计 

◆溅 射 源：最多 2×2 英寸磁控靶 

◆溅射电源：直流 (500W ) 一台（标配） 

◆进气系统：一路 MFC 控制的工艺气路（Ar） 

◆样品台：可容纳样品最大尺寸：3 英寸样品托一个 , 配挡板，转速 0-30rpm 连续可调 ; 样品可加热控温， 温度范围：室温 -300℃，控温精度 ±0.5℃； 

◆系统控制：10 英寸触摸屏 +PLC 控制

选择配置：

◆样品台可水冷，采用直接式水冷形式，水冷不控温 

◆全量程真空计（ Inficon） 

◆电容式隔膜真空计 ( 测量溅射工作压力 ) 

◆射频电源（RF）300W（可选） 

 系统要求标准配置： 

◆工艺气体 :25psi，纯度 99.99% 以上 

◆工艺气体（Ar） ◆工作气体 : 干燥压缩空气、氮气 

◆电 源 : 单相 220V , 50Hz, 16A 

 ◆冷 冻 水 :18-25℃ , 1L/min，压力 < 0.4MPa